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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(张含韵当年发生了什么事，张含韵以前发生什么事guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎn张含韵当年发生了什么事，张含韵以前发生什么事g)络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年张含韵当年发生了什么事，张含韵以前发生什么事三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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