大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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