大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(b苏三起解的故事，苏三起解的故事简介ǎo)障关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储苏三起解的故事，苏三起解的故事简介被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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