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闲游的意思 闲游的反义词是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来(lái)看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

  美光公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

  据(jù)网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患,对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn),维护国家安全(quán),依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发(fā)!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著闲游的意思 闲游的反义词是什么下降(jiàng),至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì),公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就分析,如(rú)果美光闲游的意思 闲游的反义词是什么在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制,或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露,薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān),设(shè)备(bèi)国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份额提升(shēng),以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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