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为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生,奋斗终身还是奋斗终生的意思

为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生,奋斗终身还是奋斗终生的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生,奋斗终身还是奋斗终生的意思来看一则突发消(xiāo)息。

  美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办消息(xī),日前,网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发文称(chēng),为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维护国家(jiā)安全(quán),依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》,网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约,确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前(qián)就分析(xī),如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì),或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时(shí为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生,奋斗终身还是奋斗终生的意思)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单,设(shè)备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积(jī))等相关(guān)公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增(zēng)长。

 

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