大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn公安协警工资多少，公安协警怎么样)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(公安协警工资多少，公安协警怎么样bù)数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外公安协警工资多少，公安协警怎么样三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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