大家好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán宁缺毋滥愿遇良人什么意思，各位看官 皆遇良人什么意思)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要宁缺毋滥愿遇良人什么意思，各位看官 皆遇良人什么意思大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高(gāo宁缺毋滥愿遇良人什么意思，各位看官 皆遇良人什么意思)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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