大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎护士是事业编制吗 2023年护士还有编制吗(yíng)各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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