大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审双刃剑比喻什么意思，双刃剑比喻什么生肖查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 双刃剑比喻什么意思，双刃剑比喻什么生肖94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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